还原技术用于生产黑化铌酸锂(LiNbO3)，即使瞬时发生电位，也具有很高的中和电荷的能力。LN晶片的热释电效应基本消除，透过率明显降低。黑化铌酸锂晶片的压电性能与标准晶片的压电性能无明显差异。因此，黑化还原铌酸锂晶片被广泛用于制造高频表面声波器件。COT自豪地宣布，我们可以为所有切割角度提供3”，4”，6”和8”黑化LN晶圆!
在CO2和H2混合气氛下，通过化学还原法制备了自由热黑色LiNbO3和LiTaO3晶圆。
测量了黑色LiNbO3和黑色LiTaO3晶圆的体积电导率和透光率。结果表明，晶片的热释电效应基本消除，透过率明显降低。
还原过程没有改变LN和LT晶片的居里温度和压电性能，即使瞬时发生电位也能中和电荷。
利用还原技术制备的黑铌酸锂(LiNbO3)即使在瞬间发生电位也具有很高的中和电荷的能力。
黑色铌酸锂晶片的压电性能与标准晶片无明显差异。因此，黑色还原铌酸锂晶片被广泛用于生产高频SAW器件。
Black Lithium Niobate Wafer | ||
Curie Temp | 1142±2.0℃ | |
Cutting Angle | X/Y/Z/Y36/Y41/Y64/Y128/etc | |
Diameter/size | 3”/4”/6" & 8" LN wafer | |
Tol(±) | <0.20 mm ±0.005mm | |
Thickness | 0.18 ~ 0.5mm or more | |
Primary Flat | 22mm /32mm /42.5mm /57.5mm /semi notch | |
TTV | <3µm | |
Bow | -30<bow<30 | |
Warp | <40µm | |
PLTV(<0.5um) | ≥95%(5mm*5mm) | |
Surface Type | Single Side Polished(SSP) /Double Sides Polished(DSP) | |
Polished side Ra | <0.5nm | |
S/D | 20/10 | |
Edge Criteria | R=0.2mm C-type or Bullnose | |
Quality | Free of crack (bubbles and inclusions) | |
Optical doped | Mg/Fe/Zn/MgO etc for optical grade LN< wafers per requested | |
Wafer Surface Criteria | Refractive index | No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm wavelength/prism coupler method. |
Contamination, | None | |
Particles ￠>0.3 µ m | <= 30 | |
Scratch , Chipping | None | |
Defect | No edge cracks, scratches, saw marks, stains | |
Packaging | Qty/Wafer box | 25pcs per box |
应用:
集成波导光子;波导激光器;SHG&OPO的准相位匹配EO波导相位和幅度调制器
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