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    黑化铌酸锂晶片
    黑化铌酸锂晶片黑化铌酸锂晶片
    黑化铌酸锂晶片黑化铌酸锂晶片

    黑化铌酸锂晶片

    还原技术用于生产黑化铌酸锂(LiNbO3),即使瞬时发生电位,也具有很高的中和电荷的能力。LN晶片的热释电效应基本消除,透过率明显降低。黑化铌酸锂晶片的压电性能与标准晶片的压电性能无明显差异。因此,黑化还原铌酸锂晶片被广泛用于制造高频表面声波器件。COT自豪地宣布,我们可以为所有切割角度提供3”,4”,6”和8”黑化LN晶圆!

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    在CO2和H2混合气氛下,通过化学还原法制备了自由热黑色LiNbO3和LiTaO3晶圆。

    测量了黑色LiNbO3和黑色LiTaO3晶圆的体积电导率和透光率。结果表明,晶片的热释电效应基本消除,透过率明显降低。

    还原过程没有改变LN和LT晶片的居里温度和压电性能,即使瞬时发生电位也能中和电荷。

    利用还原技术制备的黑铌酸锂(LiNbO3)即使在瞬间发生电位也具有很高的中和电荷的能力。

    黑色铌酸锂晶片的压电性能与标准晶片无明显差异。因此,黑色还原铌酸锂晶片被广泛用于生产高频SAW器件。

    Material

    Black Lithium Niobate Wafer

    Curie Temp

    1142±2.0℃

    Cutting Angle

    X/Y/Z/Y36/Y41/Y64/Y128/etc

    Diameter/size

    3”/4”/6" & 8" LN wafer

    Tol(±)

    <0.20 mm   ±0.005mm

    Thickness

    0.18 ~ 0.5mm or more

    Primary Flat

    22mm /32mm /42.5mm /57.5mm /semi notch

    TTV

     <3µm

    Bow

    -30<bow<30

    Warp

    <40µm

    PLTV(<0.5um)

    ≥95%(5mm*5mm)

    Surface Type

    Single Side Polished(SSP) /Double Sides   Polished(DSP)

    Polished side Ra

    <0.5nm

    S/D

    20/10

    Edge Criteria

    R=0.2mm C-type or Bullnose

    Quality

    Free of crack (bubbles and inclusions)

    Optical doped

    Mg/Fe/Zn/MgO etc for optical grade   LN&LT wafers per requested

    Wafer Surface Criteria

    Refractive index

    No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm wavelength/prism   coupler method.

    Contamination,

    None

    Particles ¢>0.3 µ  m

    <= 30

    Scratch , Chipping

    None

    Defect

    No edge cracks, scratches, saw marks,   stains

    Packaging

    Qty/Wafer box

    25pcs per box


    应用:

    集成波导光子;波导激光器;SHG&OPO的准相位匹配EO波导相位和幅度调制器


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