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    声学级铌酸锂基片
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    声学级铌酸锂基片

    铌酸锂(LN)是一种具有优异电光、非线性和压电性能的铁电材料。铌酸锂晶体是光波导、移动电话、压电传感器、光调制器和各种其他线性和非线性光学应用的重要材料。

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    铌酸锂(LiNbO3)是一种有用的光电材料。该材料不仅具有独特的压电、光学和光弹性性能,而且具有良好的机械和化学稳定性。

    其优良的电光、声光和非线性光学特性使其成为集成光学领域中极具吸引力的材料。

    CQT提供6英寸直径,单晶光学级LN材料,降低杂质水平。可提供其他规格的掺杂晶圆:Er:LN, MgO:LN和Fe:LN。

    最常用的SAW方向是Y-cut和128°Y-cut,最适合电视发射和接收信号处理。具有X传播的128°Y-cut据说具有最低的杂散信号电平。

    铌酸锂(LN)是一种具有优异电光、非线性和压电性能的铁电材料。

    铌酸锂晶体是光波导、移动电话、压电传感器、光调制器和各种其他线性和非线性光学应用的重要材料。

    铌酸锂(LN)的最大用途是用于电信设备的SAW设备。

    在进行语音通信和数据通信时,在通信设备中安装SAW滤波器和SAW双工器等SAW器件作为滤波器,以防止噪声和干扰。

    铌酸锂(LN)晶体也用于光学应用。

    MaterialLiNbO3 wafers (White or Black)
    Curie Temp1142±2.0℃
    Cutting AngleX/Y/Z/Y36/Y41/Y64/Y128/etc
    Diameter/size3”/4”/6"LN wafer & 8"under R/D
    Tol(±)<0.20 mm
    Thickness0.1 ~ 0.5mm or more
    Primary Flat22mm /32mm /42.5mm /57.5mm
    LTV (5mmx5mm) <1µm
    TTV  <3µm
    Bow -30<bow<30
    Warp <40µm
    PLTV(<0.5um)≥95%(5mm*5mm)
    Orientation FlatAll available
    Surface TypeSingle Side Polished /Double Sides Polished
    Polished side Ra<0.5nm
    Back Side CriteriaGeneral is 0.2-0.5µm or as customized
    Edge CriteriaR=0.2mm or Bullnose
    Wafer Surface Criteria Transmissivitygeneral:5.9x10-11<s<2.0*10-10 at 25℃
    Contamination,None
    Particles ¢>0.3 µ  m<= 30
    Scratch , ChippingNone
    DefectNo edge cracks, scratches, saw marks, stains
    PackagingQty/Wafer box25pcs per box 
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