铌酸锂(LiNbO3)是一种有用的光电材料。该材料不仅具有独特的压电、光学和光弹性性能，而且具有良好的机械和化学稳定性。
其优良的电光、声光和非线性光学特性使其成为集成光学领域中极具吸引力的材料。
CQT提供6英寸直径，单晶光学级LN材料，降低杂质水平。可提供其他规格的掺杂晶圆:Er:LN, MgO:LN和Fe:LN。
最常用的SAW方向是Y-cut和128°Y-cut，最适合电视发射和接收信号处理。具有X传播的128°Y-cut据说具有最低的杂散信号电平。
铌酸锂(LN)是一种具有优异电光、非线性和压电性能的铁电材料。
铌酸锂晶体是光波导、移动电话、压电传感器、光调制器和各种其他线性和非线性光学应用的重要材料。
铌酸锂(LN)的最大用途是用于电信设备的SAW设备。
在进行语音通信和数据通信时，在通信设备中安装SAW滤波器和SAW双工器等SAW器件作为滤波器，以防止噪声和干扰。
铌酸锂(LN)晶体也用于光学应用。
| Material | LiNbO3 wafers (White or Black) | |
| Curie Temp | 1142±2.0℃ | |
| Cutting Angle | X/Y/Z/Y36/Y41/Y64/Y128/etc | |
| Diameter/size | 3”/4”/6"LN wafer & 8"under R/D | |
| Tol(±) | <0.20 mm | |
| Thickness | 0.1 ~ 0.5mm or more | |
| Primary Flat | 22mm /32mm /42.5mm /57.5mm | |
| LTV (5mmx5mm) | <1µm | |
| TTV | <3µm | |
| Bow | -30<bow<30 | |
| Warp | <40µm | |
| PLTV(<0.5um) | ≥95%(5mm*5mm) | |
| Orientation Flat | All available | |
| Surface Type | Single Side Polished /Double Sides Polished | |
| Polished side Ra | <0.5nm | |
| Back Side Criteria | General is 0.2-0.5µm or as customized | |
| Edge Criteria | R=0.2mm or Bullnose | |
| Wafer Surface Criteria | Transmissivity | general:5.9x10-11<s<2.0*10-10 at 25℃ |
| Contamination, | None | |
| Particles ￠>0.3 µ m | <= 30 | |
| Scratch , Chipping | None | |
| Defect | No edge cracks, scratches, saw marks, stains | |
| Packaging | Qty/Wafer box | 25pcs per box |
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